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【硅谷FMS主題演講一】解決閃存一致性差異對QoS的影響

發(fā)布時間:2023-08-18 文章來源:憶芯科技

美國時間8月10日,全球頂級閃存峰會2023 Flash Memory Summit(簡稱“FMS”)圓滿落幕,國內(nèi)外存儲巨頭悉數(shù)到場,分享了彼此最新的研發(fā)成果與前沿觀點。以憶芯科技為代表的國產(chǎn)高端主控芯片和成品盤供應商,攜全球首發(fā)兩款Gen5主控芯片及企業(yè)級解決方案,在此次大會上得到眾多國際關(guān)注。


與此同時,憶芯科技三位芯片及方案架構(gòu)師在本次峰會上做精彩的主題演講,與現(xiàn)場觀眾就前瞻性技術(shù)與行業(yè)理解進行深刻剖析,并圍繞憶芯核心產(chǎn)品與技術(shù)進行深入交流與討論。


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憶芯科技副總裁丁勝濤在FMS2023上做題為《A solution to the effect of nand flash consistency on QoS》的主旨演講,就如何“解決閃存一致性差異對QoS的影響”話題進行了深刻演說。


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憶芯科技副總裁 丁勝濤 發(fā)表演講


隨著數(shù)據(jù)中心的發(fā)展和云服務的興起,QoS的一致性表現(xiàn)逐漸成為衡量企業(yè)級SSD好與壞的重要指標,同時也體現(xiàn)了SSD廠商在性能調(diào)試和優(yōu)化的含金量。在企業(yè)級SSD性能評估中,常見的QoS性能指標包括平均延時,99%QoS,99.99%QoS,99.9999%QoS等,9越多代表對延時一致性要求越高。


實際的業(yè)務應用場景復雜且多變,影響SSD QoS一致性表現(xiàn)的因素也特別多。上層主機側(cè)CPU模式切換和頻率切換、IO調(diào)度策略和優(yōu)先級、DDR分配資源以及接口協(xié)議異常處理都會影響QoS一致性表現(xiàn)。底層SSD設備端閃存 tR/tP/tErase執(zhí)行時間、GC效能、閃存穩(wěn)定性、OP空間、NAND Flash其他特性同樣會影響到QoS一致性表現(xiàn)。本次我們主要討論閃存tR和tP執(zhí)行時間一致性對QoS表現(xiàn)的影響。


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憶芯科技FRC團隊針對不同廠商和型號的閃存顆粒進行多角度分析。結(jié)果表明:不同廠商的閃存顆粒在基礎性能(tP、tR、tErase)表現(xiàn)和一致性(標準差)表現(xiàn)均存在差異?;A性能差異會對基礎性能產(chǎn)生影響,而一致性則會影響QoS表現(xiàn)。


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針對eTLC read一致性,憶芯科技FRC團隊也做了大量的數(shù)據(jù)分析。下列為不同閃存顆粒Lun0(Lun0-Lun3表現(xiàn)一致,以Lun0為例)下不同Plane不同Block所有Page Error Bit熱點圖。藍色面積覆蓋率越大,相對一致性表現(xiàn)越好,趨于紅色面積覆蓋率越大,相對一致性表現(xiàn)越差。主要因為error bit處理會影響到read QoS一致性表現(xiàn)。


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下列為不同閃存顆粒Lun0(Lun0-Lun3表現(xiàn)一致,以Lun0為例)下不同Plane不同Block所有Page tR熱點圖。藍色面積覆蓋率越大,相對一致性表現(xiàn)越好,趨于紅色面積覆蓋率越大,相對一致性表現(xiàn)越差。主要因為tR會影響到read QoS一致性表現(xiàn)。


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下列為不同閃存顆粒Lun0(Lun0-Lun3表現(xiàn)一致,以Lun0為例)下不同Plane不同Block所有WL tP熱點圖。藍色面積覆蓋率越大,相對一致性表現(xiàn)越好,趨于紅色面積覆蓋率越大,相對一致性表現(xiàn)越差。主要因為tP會影響到write QoS一致性表現(xiàn)。


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以Program為例,基于上述QoS一致性的影響,在實際業(yè)務中會出現(xiàn)不同的Lun處理和完成同樣操作所需要的時間存在差異,這種差異不斷的疊加最終會導致QoS表現(xiàn)得更差。


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以傳統(tǒng)方式處理Program、Erase、RAID-Parity等行為時,對QoS一致性影響很大,實際表現(xiàn)如下:


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憶芯科技通過STAR QoS? 動態(tài)RAID5的技術(shù)可以降低和解決上述問題對QoS一致性的影響。當Program遇到Erase,或者當Program遇到隊列壓力較大的情況時,則通過動態(tài)RAID5機制平衡QoS的影響。


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動態(tài)RAID5處理Program、Erase、RAID-Parity等行為時,能優(yōu)化QoS一致性。表現(xiàn)如下:


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動態(tài)RAID5是憶芯科技STAR QoS?技術(shù)其中一個實例應用。憶芯科技作為國內(nèi)領(lǐng)先的高端企業(yè)級NVMe SSD主控和解決方案廠商,在存儲領(lǐng)域不斷突破和創(chuàng)新,始終“致力于成為賦能大數(shù)據(jù)應用的芯片全球領(lǐng)導者”,將代表“中國芯”向世界彰顯國產(chǎn)芯的巨大潛力和無限未來。


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《A solution to the effect of nand flash consistency on QoS》的主旨演講在現(xiàn)場引起了熱議,就憶芯提出的先進技術(shù)觀念并結(jié)合產(chǎn)品的應用,受到了廣泛好評。作為國內(nèi)領(lǐng)先的高端PCIe SSD主控芯片和成品盤供應商,憶芯科技始終堅持自主研發(fā),擁有從底層算法到芯片設計、再到解決方案設計等多方面經(jīng)驗豐富的技術(shù)團隊,奠定了憶芯硬核的核心技術(shù)與產(chǎn)品實力,這也讓憶芯逐步穩(wěn)固了國內(nèi)第一梯隊的行業(yè)地位。


今后,憶芯科技將繼續(xù)深耕技術(shù)迭代與產(chǎn)品市場化,為各行業(yè)的信息化發(fā)展提供高質(zhì)量芯片級底層保障。